美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統，包括：傳統的熱原子層沉積系統(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(Power-ALD)。
 
儀器簡介：
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。
原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。
ALD的優點包括：
1. 可以通過控制反應周期數精確控制薄膜的厚度，從而達到原子層厚度精度的薄膜；
2. 由于前驅體是飽和化學吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜；
3. 可生成極好的三維保形性化學計量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
5. 薄膜生長可在低溫下進行（室溫到400度以下）；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底；
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質、電致發光顯示器絕緣體、電容器電介質和MEMS器件，生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。

 
技術參數：
基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；
加熱溫度：25℃—400℃（可選配更高）；
均勻性： < 1%；
前驅體數：4路（可選配6路）；
兼容性： 可兼容100級超凈室；
尺寸：950mm x 700mm；
ALD，PE-ALD，粉末ALD技術；

 
原子層沉積ALD的應用包括：
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 導電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 金屬互聯結構 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 納米結構 (All ALD Material)；
6) 生物醫學涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14) 電致發光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

 
目前可以沉積的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

參考用戶：
北京大學、復旦大學、哈工大、南方科技大學、電子科技大學、上海大學、上海理工大學、湖南大學、河南大學、華僑大學、中科院大連化物所、中科院化學所、中科院長春應化所等。